共 1 条
[1]
Argon,A.S. Acta Materialia . 1987
脆断微裂纹形核的原位观察
被引：4
作者：
张跃
王燕斌
褚武扬
肖纪美
不详
机构：
[1] 北京科技大学材料物理系
[2] 北京科技大学材料物理系 北京
[3] 北京
来源：
关键词：
金属间化合物;
纳米级微裂纹;
无位错区;
D O I：
暂无
中图分类号：
O346.1 [断裂理论];
学科分类号：
080102 ;
摘要：
<正>Rice和Thomson及其支持者认为脆断裂纹扩展时不会发射位错.对Si和Fe-Si,解理裂纹扩展前能发射一些位错,故Argon认为Si的韧脆转变取决于裂尖发出位错的多少.而Chiao认为,如裂尖发出的位错不能运动离开就导致脆断.Gerberich等认为随裂尖发射位错,有效应力场强度因子增加,当它达到临界值时就导致解理扩展,称之为“塑性诱发解理”.总之,他们均认为解理裂纹是连续扩展的,裂尖发射位错就导致钝化,裂纹解理扩展前不发射或只发射极少量位错.
引用
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页数：3
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