电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究

被引：6

作者：

樊玉薇

李永祥

吴冲若

机构：

[1] 东南大学电子工程系

来源：

东南大学学报 | 1998年 / 01期

关键词：

电化学原子层外延（ECALE）；CdTe；欠电势沉积（UPD）；UPD电位；交替沉积;

D O I：

暂无

中图分类号：

O646.54 [电极过程]; O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

070306 [物理化学（含化学物理）]; 070307 [化学生物学];

摘要：

阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ与Ｃｄ在ＳｉＡｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值．由此确定了在ＳｉＡｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ、Ｃｄ原子层的方法．在此基础上，初步进行了多次交替沉积，并用ＡＦＭ与ＡＥＳ研究了所得样品表面形貌与成分．

引用

页数：6