基于面积效应的真空灭弧室触头间隙击穿特性研究

被引:11
作者
程少勇
刘志远
李新华
王季梅
机构
[1] 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
关键词
面积效应; 绝缘强度; 真空灭弧室;
D O I
10.13296/j.1001-1609.hva.2007.03.001
中图分类号
TM561.5 [灭弧断路器、灭弧室];
学科分类号
摘要
针对一种中压真空灭弧室模型,研究开距变化时触头有效面积对击穿电场强度的影响。通过电场仿真计算得到了开距对触头间隙内有效面积的影响;通过冲击耐压试验得到了开距与击穿电场强度之间的关系。在此基础上发现在不同的开距范围内,触头间隙内的有效面积对击穿电场强度的影响不同:在开距1~2 mm范围内击穿电场强度Ebd随着触头有效面积Se的增大而增加;在开距2~6 mm范围内击穿电场强度Ebd随着触头有效面积Se的增大而减小。
引用
收藏
页码:161 / 164+168 +168
页数:5
相关论文
共 5 条
[1]  
Statistical Property of Breakdown Between Electrode and Shield in High-voltage Vacuum Interrupter. TOYA H,HAYASHI T. IEEE Transactions on Plasma Science . 1985
[2]  
Breakdown Voltage of Electrode Arrangement in Vacuum Circuit Breakers. SCHMANN U,GIERE S,KURRAT M. IEEE Trans.on Dielectrics and Electrical Insulation . 2003
[3]  
Statistical Property of Breakdown Between Metal Electrodes in Vacuum. TOYA H,UENO N. IEEE Trans.on Power Apparatus and System . 1981
[4]  
Insulation Optimization by Electrode Contour Modification Based on Breakdown Area/Volume Effects. KATO K,X HAN X,OKUBO H. IEEE Trans.on Dielectrics and Electrical Insulation . 2001
[5]  
Area Effect on Electrical Breakdown of Copper and Stainless in Vacuum. OKAWA M,SHIOIRI T,OKUBO H,et al. IEEE Trans.on Dielectrics and Electrical Insulation . 1998