VEGF在大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤中的表达变化

目的　研究局灶性脑缺血再灌注中心区、半影区VEGF表达的动态变化及意义 .方法　采用线栓法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注模型 .采用神经病学评分、TTC染色、光镜检测对模型予以评价 .在此基础上采用免疫组化技术 ,观察缺血 3h及缺血 3h再灌注 3,6 ,2 4 ,72h缺血中心区及半影区VEGF表达的动态变化 ,以及观察相应时间点缺血中心区及半影区病理组织学变化 .结果　正常对照组及假手术组VEGF呈阳性表达 ,缺血 3h及缺血3h再灌注 3,6h中心区及半影区VEGF表达明显增强 ,缺血 3h再灌注 2 4 ,72h缺血中心区VEGF表达接近正常 ,而此时半影区呈升高趋势 ,2 4h达到高峰 ,72h有所下降 (与假手术组相比 ,P <0 .0 5 ) .相应神经元的病理组织学变化也随再灌注时间的延长而加重 .结论　正常脑组织中VEGF呈弱阳性表达 ,缺血半影区随缺血再灌注时间延长表达增强 .随着缺血再灌注时间延长 ,中心区神经细胞以坏死为主 ,半影区以神经细胞以凋亡为主 .提示VEGF对脑缺血损伤后的神经细胞有保护和修复作用