Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的进展

被引：52

作者：

李彦平

关兴国

机构：

[1] 石油物探局职工大学,电子部第研究所涿州,,石家庄,

来源：

关键词：

氮化物; 半导体;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.1996.05.001

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

90年代初Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的实用化似乎还很遥远,但是自从蓝光GaN/GaInN LED 研制成功之后这个领域发生了巨变。目前,GaN 成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中,基于 GaN 材料的激光器、HV 探测器和大功率高温半导体器件将成为实用产品。

引用

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