GaN功率开关器件的产业发展动态

被引：5

作者：

何亮

郑介鑫

刘扬

机构：

[1] 中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所

来源：

电力电子技术 | 2017年 / 51卷 / 08期

基金：

国家重点研发计划;

关键词：

功率开关器件; 氮化镓; 常关型器件; 封装;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN303 [结构、器件];

学科分类号：

摘要：

氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求。P型栅和Cascode结构的常关型GaN器件已逐步实现产业化,但鉴于这两种器件结构本身存在的缺点,常关型GaN MOSFET器件方案备受关注。目前,GaN功率开关器件主要朝高频化发展,封装形式从直插型(TO)封装向贴片式(QFN)封装演变,为进一步消除寄生效应对器件高速开关特性造成的不良影响,驱动和功率器件集成的GaN功率集成电路(IC)技术被采用,单片集成的全GaN功率IC是未来的发展方向。

引用

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