衰减相移掩模光刻技术研究

被引：2

作者：

冯伯儒

张锦

侯德胜

周崇喜

陈芬

机构：

[1] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!四川成都

[2] 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家

来源：

光电工程 | 1999年 / 05期

关键词：

光刻; 相移掩模; 衰减相移掩模; 曝光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果，并与传统光刻方法作了比较

引用

页码：4 / 8+12 +12

页数：6

共 4 条

[1]

Practicalattenuated phase-shifting m ask w ith a single-layer absorptive shifter ofMoSiO and MoSiON for ULSIfabrication. Yoshioka N,etal. Technicaldigest ofIEDM′93,Dec . 1993

[2]

Attenuated phase-shifting photom asks fabricated from Cr-based em bedded shifter blanks. Kalk FD,French RH,Alpay HU,etal. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1994

[3]

Im proving Resolution in Photolithography w ith aPhase-Shifting Mask. Levenson,M D,Visw anatha N S,Sim pson,RA. IEEETransaction on Electron Devices . 1982

[4]

Attenuated Phase Shif Mask Blanksw ith Oxide or Oxi-Nitride ofCr or MoSiAbsorptive Shifter. Yoshihiro Saito,Susum u Kaw ada,Tsuneo Yam am oto,et al. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1994

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