电子束辐照对氧化锌纳米线I-V特性的影响

被引：3

作者：

卫斌 ^{[1
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吉元 ^{[1
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王丽 ^{[1
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张隐奇 ^{[1
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张小玲 ^{[2
]}

吕长志 ^{[2
]}

张跃飞 ^{[1
]}

机构：

[1] 北京工业大学固体微结构与性能研究所

[2] 北京工业大学微电子可靠性研究室

来源：

真空科学与技术学报 | 2008年 / 04期

关键词：

电子束辐照; 扫描电镜; ZnO纳米线; I-V曲线;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2008.04.002

中图分类号：

TB383.1 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V曲线的影响。30 keV电子束辐照使ZnO纳米线的总电阻减小。计算得到ZnO纳米线的电导率σ=0.24S/cm,载流子浓度n=1.64×1016cm-3。为了对比,还测试了单根碳纤维接触钨电极的I-V特征曲线。在30 keV电子束辐照下,碳纤维的总电阻保持不变,电导率σ=22 S/cm。

引用

页码：303 / 307

页数：5

共 3 条

[1] 环境扫描电镜中电荷环境的测量 [J].

付景永 ;

吉元 ;

张隐奇 ;

王丽 ;

田彦宝 ;

徐学东 ;

韩晓东 .

真空科学与技术学报, 2007, (01) :72-75

[2] 接触——纳电子器件的关键 [J].

侯士敏 ;

申自勇 ;

赵兴钰 ;

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[3]

ZnO nanowire growth and devices[J] . Y.W. Heo,D.P. Norton,L.C. Tien,Y. Kwon,B.S. Kang,F. Ren,S.J. Pearton,J.R. LaRoche.Materials Science ＆ Engineering R . 2004 (1)

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