局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型

被引:3
作者
方健
吴超
乔明
张波
李肇基
机构
[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院
关键词
局域寿命控制; NPT-IGBT; 关断时间; 电导调制;
D O I
暂无
中图分类号
TN386 [场效应器件];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的影响.该模型将有助于理解局域寿命控制NPT IGBT的关断过程物理图像,同时也可以用于指导该类器件的设计和优化.文中所采用的分析方法具有一定的普适性,其他类似结构和器件亦可采用此方法进行分析.
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页码:1078 / 1083
页数:6
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共 1 条
[1]   低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究(英文) [J].
方健 ;
唐新伟 ;
李肇基 ;
张波 .
半导体学报, 2004, (09) :1048-1054