耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制

被引：4

作者：

李新 ^{[1
]}

庞世信 ^{[2
]}

徐开先 ^{[2
]}

孙承松 ^{[1
]}

机构：

[1] 沈阳工业大学信息科学与工程学院

[2] 沈阳仪表科学研究院

来源：

微纳电子技术 | 2007年 / Z1期

关键词：

高温; SOI结构; 压力敏感芯片;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2007.z1.145

中图分类号：

TP212.12 [];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器,一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了芯片。电桥采用1mA恒流源供电,在300℃下,满量程输出≥180mV,灵敏度为30～40mV/(mA.MPa),非线性≤1‰FS,重复性≤1‰FS。与常温测试结果相比,300℃高温下,敏感芯片的静态性能没有明显差异。

引用

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页数：3