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肖特基半导体器件的模型及其应用
被引：1
作者：
成立
机构：
[1] 江苏理工大学电气工程系
来源：
关键词：
肖特基势垒,半导体器件,应用电路;
D O I：
10.13290/j.cnki.bdtjs.1999.02.017
中图分类号：
TN386.3 [肖特基势垒栅场效应器件];
学科分类号：
摘要：
从工程实际出发，分别建立了肖特基势垒二极管（ＳＢＤ）二态模型和肖特基钳位三极管（ＳＣＴ）四态模型的电路模型，分析并研究了这两个典型的应用电路。
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