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离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善
被引：14
作者：
徐东，朱宏，汤丽娟，杨云洁，郑志宏，柳襄怀，谷口滋次，柴田俊夫
机构：
[1] 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室，日本大阪大学材料系
来源：
关键词：
氮化硅薄膜，TiAl，离子束增强沉积，高温氧化;
D O I：
暂无
中图分类号：
TG146.23 [];
学科分类号：
080502 ;
摘要：
用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结合紧密用ＡＥＳ，ＸＲＤ和ＸＰＳ研究薄膜的组成和结构，高温循环氧化结果表明，经沉积膜的ＴｉＡｌ试样的抗氧化性能显著提高其中沉积０．５μｍ薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由ＳＥＭ及ＥＤＳ分析得出，良好的高温稳定性能、高的膜／基底结合力和形成富Ａｌ２Ｏ３和硅化物的保护层是提高ＴｉＡｌ抗高温氧化性能的主要因素．
引用
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页码：164 / 172
页数：9
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