PCVD低水峰光纤的制备与性能

被引：2

作者：

韩庆荣 ^{[1
]}

谢康 ^{[2
]}

张树强 ^{[2
]}

罗杰 ^{[2
]}

机构：

[1] 武汉理工大学材料学院

[2] 长飞光纤光缆有限公司研发部

来源：

光通信技术 | 2006年 / 05期

关键词：

PCVD低水峰光纤; PCVD工艺; ITU-T G.652.C/D; IEC 60793-2-50 B.1.3;

D O I：

10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2006.05.019

中图分类号：

TN818 [光纤传输线、光缆];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗。光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能优越的双层涂覆层,使PCVD低水峰光纤各项性能指标全面达到或优于最严格的ITU-TG.652.C/D和IEC60793-2-50B.1.3光纤标准要求。

引用

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