ITO膜的光谱选择性

被引：1

作者：

史月艳

机构：

[1] 清华大学电子工程系

来源：

太阳能学报 | 1995年 / 01期

关键词：

ITO膜，光谱选择性，磁控溅射;

D O I：

10.19912/j.0254-0096.1995.01.007

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

对磁控溅射制备的重掺杂ＩＴＯ膜的光谱选择性进行了研究。发现基片加热至３５０℃时沉积的ＩＴＯ膜，其光谱选择性透射和反射特性主要取决于沉积气氛中Ｏ２的含量。本实验中Ｏ２∶Ａｒ＝０．４时获得满意的结果。当基片处于自然升温时，沉积的ＩＴＯ膜的优良光谱选择性透过和反射特性，与沉积时氧气的量及膜在空气中的退火条件有关，在氧气含量约为０．０６时沉积的ＩＴＯ膜，经２５０℃、２５ｍｉｎ退火后，膜具有优良的选择性。

引用

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