重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰

被引：5

作者：

冯德仁 ^{[1
]}

姚锋 ^{[1
]}

刘梦菲 ^{[1
]}

何山红 ^{[1
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车文荃 ^{[2
]}

熊瑛 ^{[2
]}

机构：

[1] 安徽工业大学电气与信息工程学院

[2] 南京理工大学电子工程与光电技术学院弹道国防科技重点实验室

来源：

高电压技术 | 2014年 / 40卷 / 09期

关键词：

重频电磁脉冲; 可控硅; 电磁干扰; 积累效应; 共地耦合; 操作过电压;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.012

中图分类号：

TN34 [晶闸管（可控硅）];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

针对重频电磁脉冲(EMP)干扰现象,以可控硅门极触发电路为研究对象,进行了门极共地耦合电磁干扰的理论研究,并针对重频EMP环境下可控硅触发的可靠性,分别进行了不同重频EMP数量与不同重频EMP时间间隔下可控硅的触发输出实验。结果表明:重频EMP会影响可控硅的触发,重频EMP数量增多与间隔减小均使可控硅误触发的可能性增大。对比理论分析与实验结果,认为重频EMP干扰是由于重频EMP累积效应与重频EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起。

引用

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页码：2693 / 2698

页数：6

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