InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

被引：1

作者：

陈志忠

沈波

杨凯

施洪涛

陈鹏

郑有

李熹霖

机构：

[1] 南京大学

来源：

半导体光电 | 1998年 / 04期

关键词：

蓝光发光二极管,InGaN／AlGaN双异质结构,电致发光,I－V特性,蓝移;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.1998.04.014

中图分类号：

O482.3,TN383.1 [];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。

引用

页码：46 / 49

页数：4