学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
国外大功率半导体激光器发展状况
被引:1
作者
:
何兴仁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆光电技术研究所
何兴仁
机构
:
[1]
重庆光电技术研究所
来源
:
半导体光电
|
1987年
/ 01期
关键词
:
激光器;
有源区;
单纵模;
横模;
光源;
光激射器;
电子器件;
激光模式;
辐射源;
大功率半导体;
大光腔;
功率密度;
D O I
:
10.16818/j.issn1001-5868.1987.01.010
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文介绍了近几年来国外大功率半导体激光器的发展状况。简要叙述了大功率半导体激光光源的用途、影响提高功率的主要原因以及克服的方法。着重介绍了国外为发展大功率半导体激光器设计的主要结构和工艺,取得的主要成果,达到的最新水平,并对今后一段时间的发展作了初步的预测。
引用
收藏
页码:34 / 41
页数:8
相关论文
共 2 条
[1]
E. L . 1984
[2]
E. L . 1985
←
1
→
共 2 条
[1]
E. L . 1984
[2]
E. L . 1985
←
1
→