国外大功率半导体激光器发展状况

被引:1
作者
何兴仁
机构
[1] 重庆光电技术研究所
关键词
激光器; 有源区; 单纵模; 横模; 光源; 光激射器; 电子器件; 激光模式; 辐射源; 大功率半导体; 大光腔; 功率密度;
D O I
10.16818/j.issn1001-5868.1987.01.010
中图分类号
学科分类号
摘要
本文介绍了近几年来国外大功率半导体激光器的发展状况。简要叙述了大功率半导体激光光源的用途、影响提高功率的主要原因以及克服的方法。着重介绍了国外为发展大功率半导体激光器设计的主要结构和工艺,取得的主要成果,达到的最新水平,并对今后一段时间的发展作了初步的预测。
引用
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E. L . 1984
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