电针百会、神庭穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆影响的小动物磁共振波谱研究

被引：14

作者：

赵从快 ^{[1
]}

柳维林 ^{[1
]}

林如辉 ^{[2
]}

陶静 ^{[1
]}

机构：

[1] 福建中医药大学康复医学院

[2] 福建省康复技术重点实验室

来源：

康复学报 | 2016年 / 02期

关键词：

电针; 脑缺血再灌注损伤; 学习记忆; 磁共振波谱; N-乙酰天门冬氨酸; 胆碱复合物; 谷氨酸; 百会; 神庭;

D O I：

暂无

中图分类号：

R245 [针灸学、针灸疗法];

学科分类号：

100512 ;

摘要：

目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠海马区神经细胞代谢,探讨电针改善脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力的机制。方法:将SD大鼠按照随机数字表分为假手术组、模型组、电针组;利用Koizumi线栓法制备左侧大脑中动脉缺血再灌注大鼠模型,电针百会、神庭穴,每天1次,每次30 min,持续7 d;采用Morris水迷宫评估大鼠学习记忆能力,小动物核磁共振T2WI成像观察大鼠脑梗死,小动物磁共振波谱(MRS)观察大鼠海马区神经细胞代谢。结果:电针干预7 d后,大鼠在Morris水迷宫中穿越平台的次数显著增加(P<0.01);大鼠脑梗死体积减少(P<0.01),大鼠海马区N-乙酰天门冬氨酸(NAA)、胆碱复合物(Cho)左侧/右侧含量的比值均升高(P<0.05)。结论:电针刺激百会、神庭穴可改善脑缺血再灌注损伤大鼠海马区NAA和Cho的代谢,起到神经保护作用,从而改善学习记忆能力。

引用

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共 34 条

[1] H-MRS头针结合康复训练治疗脑梗死恢复期研究 [J].