非制冷红外焦平面阵列BST铁电薄膜的制备及性能研究

被引：3

作者：

刘梅冬

刘少波

曾亦可

李楚容

机构：

[1] 华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉

来源：

红外与激光工程 | 2001年 / 03期

关键词：

BST铁电薄膜; 非制冷红外焦平面阵列; 介电特性; 铁电特性; 溶胶-凝胶;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN214 [红外光学器件];

学科分类号：

摘要：

采用改进的溶胶凝胶方法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上成功地制备出不同组分 ,具有钙钛矿型结构的BST铁电薄膜。BST5、BST10和BST15铁电薄膜的介电系数εr 分别为 375、4 0 0和4 2 5,介电损耗tgδ分别为 0 .0 4 1、0 .0 2 4和 0 .0 10 ,剩余极化强度Pr 分别为 2 μc/cm2 、2 .5μc/cm2 和1.7μc/cm2 ,矫顽场Ec 分别为 4 0kV/cm、50kV/cm和 35kV/cm ,是制备非制冷红外焦平面阵列的优选材料。

引用

页码：222 / 225

页数：4

共 4 条

[1]

Structure and properties of sol-gel processed (Pb, La)TiO3 ferroelectric thin films. Liu Meidong,Wang Peiying,Li Churong,et al. Integrated Ferroelectrics . 1994

[2]

Preparation and properties of yttrium-modified lead zirconate titanate ferroelectric thin films. Li Churong,Liu Meidong,Zeng Yike,et al. Sensors and Actuators . 1997

[3]

The preparation of PbTiO3 thin films by sol-gel processing. Liu Meidong,Wang Peiying,Wu Guoan,et al. Sensors and Actuators . 1993

[4]

Preparation of PZT ferroelectric thin films by sol-gel processing and their properties. Liu Meidong,Lu Chunru,Wang Peiying,et al. Sensors and Actuators . 1995

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