具备时间延迟积分的高性能线阵288×4CMOS读出电路(英文)

被引：6

作者：

高峻

鲁文高

刘菁

唐矩

崔文涛

赵宝瑛

陈中建

吉利久

机构：

[1] 北京大学微电子学研究院

[2] 北京大学微电子学研究院北京

[3] 北京

来源：

北京大学学报(自然科学版) | 2004年 / 03期

关键词：

时间延迟积分; 读出电路;

D O I：

10.13209/j.0479-8023.2004.057

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

描述了一种高性能CMOS线阵 2 88× 4读出电路的设计。该读出电路是一个大规模混合信号电路 ,集成了时间延迟积分以提高信噪比 ,实现了缺陷像素剔除以提高阵列的可靠性。其他特征包括积分时间可调 ,多级增益 ,双向扫描 ,超采样 ,以及内建电测试。该芯片采用 1 2 μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测量得到的总功耗约为 2 4mW ,工作电压 5V。

引用

页码：402 / 406

页数：5

共 6 条

[1]

A Time-Delay-Integration CMOS Readout Circuit for IR Scanning. Tsai Fukai,Huang Hongyi,Dai Likuo,et al. In:Internal Conference on Electronics, Circuits and Systems, Dubrovnik: IEEE . 2002

[2]

AnImprovedLowPowerCMOSReadoutCircuitforFocalPlaneArray. ChenZhongjian,LiXiaoyong,JiLijiu,etal. Astin Bulletin . 2001

[3]

Design of Analog CMOS Integrated Circuits. Razavi B. New York: McGraw-Hill . 2001

[4]

HighPerofrmance480×12×4LinearCMOSIRMultiplexer. WalmsleyC,BeystrumT,GlasserC ,etal. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1999

[5]

AHighPerformance30TDIScanReversibleMWIRInSbHybridScanningArraywithonFocalPlaneDynamicRangeCompression. HenricksTF,WilsonTE,BishopDR ,etal. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1992

[6]

A High-Performance CMOS Power Amplifier. Fisher J A. IEEE Journal of Solid State Circuits . 1983

← 1 →