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两级式高频环节单相逆变器建模及稳定性分析
被引:5
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
王建华
[
1
]
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
嵇保健
[
2
]
机构
:
[1]
东南大学,电气工程学院
[2]
南京工业大学
来源
:
电力电子技术
|
2014年
/ 48卷
/ 06期
关键词
:
单相逆变器;
开关模型;
高频环节;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM464 [逆变器];
学科分类号
:
080508
[光电信息材料与器件]
;
摘要
:
基于PWM开关模型,提出了单相高频环节逆变器尤其是后级单相逆变器建模方法。介绍了相关建模思想、建模流程及方法,并给出半桥双Buck逆变器建模结果验证,并将该方法推广至半桥逆变器。在此基础上,提取了半桥逆变器环路增益及输入阻抗模型,进而研究单相逆变器子系统及级联系统稳定性。最后指出目前该方法的局限性及未来有待完成的工作。
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页数:4
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