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硅烷偶联剂改性PPy/SiO2纳米导电复合材料的研究
被引:6
作者
:
论文数:
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机构:
任丽
王立新
论文数:
0
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0
机构:
河北工业大学材料学院!天津
王立新
张福强
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机构:
河北工业大学材料学院!天津
张福强
论文数:
引用数:
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机构:
赵金铃
机构
:
[1]
河北工业大学材料学院!天津
来源
:
河北工业大学学报
|
2000年
/ 06期
关键词
:
聚吡咯;
二氧化硅;
纳米复合材料;
硅烷偶联剂;
电导率;
D O I
:
10.14081/j.cnki.hgdxb.2000.06.025
中图分类号
:
TB33 [复合材料];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
首先用硅烷偶联剂APS处理 SiO2,然后用化学聚合方法合成聚吡咯/二氧化硅(PPy/ SiO2)纳米复合材料.文中分析了硅烷偶联剂的结构特征和作用机理,复合材料电性能研 究结果表明 APS的加入使得复合材料的 PPy含量增加,电导率及材料稳定性提高.其中 PPy/1%APS—SiO2复合材料电导率最高,为 38.46 S/cm,达到文献报导最高值.
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页数:4
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