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半导体硅材料进展
被引:2
作者
:
宋大有
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海有色金属研究所
宋大有
机构
:
[1]
上海有色金属研究所
来源
:
稀有金属
|
1995年
/ 01期
关键词
:
硅材料;
大直径单晶;
粒状多晶;
磁场拉晶;
D O I
:
10.13373/j.cnki.cjrm.1995.01.021
中图分类号
:
TN304 [材料];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
综述了国内外硅材料研究动态,分析了电子工业的发展对硅材料的新要求;讨论了硅单晶大直径化、磁场拉晶、连续投料拉晶、粒状多晶等工艺问题及硅材料的市场行情;展望了半导体硅材料的发展前景。
引用
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页码:62 / 68+78 +78
页数:8
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