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铁氧体磁环抑制GIS的VFTO的可能性
被引:35
作者
:
刘卫东
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机构:
清华大学电机系
刘卫东
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机构:
金立军
钱家骊
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清华大学电机系
钱家骊
张雅林
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清华大学电机系
张雅林
申豫章
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清华大学电机系
申豫章
王淑平
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机构:
清华大学电机系
王淑平
机构
:
[1]
清华大学电机系
[2]
西安高压开关厂
来源
:
电工技术学报
|
2002年
/ 04期
关键词
:
全封闭组合电器;
特快速暂态过电压;
D O I
:
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2002.04.005
中图分类号
:
TM595 [全封闭组合电器];
学科分类号
:
摘要
:
研究了用铁氧体磁环抑制全封闭组合电器 (GIS)的特快速暂态过电压 (VFTO)的可能性。低电压模拟试验表明 ,在导体上放置铁氧体磁环等效于在导体中接入一个并联的电感和电阻 ,能够阻尼行波的传播 ,抑制快速暂态过程。
引用
收藏
页码:22 / 25
页数:4
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[1]
Suppression of VFT in 1100kV GIS by adopting resistor-fitted disconnector. Yamagata Y,Tanaka K,Nishiwaki S,et al. . 1995
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