ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性

被引：3

作者：

李盛涛，刘辅宜，焦兴六

机构：

[1] 西安交通大学电气工程学院电气绝缘研究所

来源：

无机材料学报 | 1996年 / 01期

关键词：

ZnO非欧姆陶瓷，介电特性，阻性电流;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.758.11 [];

学科分类号：

080503 ;

摘要：

本文研究了不同工艺条件制备的ＺｎＯ非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性，根据介电频谱和低温温谱，认为音频损耗机理是载流子跳跃传输，低温－１３８°Ｃ和－８７．５°Ｃ处的损耗机制是热离子极化．实验发现并理论推导了ＺｎＯ非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积，这一关系可作为ＺｎＯ元件的质量控制手段．

引用

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