低频电穴位刺激与哈伯因治疗脑外伤后记忆及认知障碍的对照观察

目的 :比较观察低频电穴位刺激与哈伯因对颅脑外伤患者记忆、认知功能障碍的治疗作用。方法 :取有明显记忆、认知功能障碍颅脑外伤住院病人 ,随机分成哈伯因治疗组与低频电组 ,分别口服哈伯因及低频电穴位刺激大脑皮层参与记忆认知功能整合部位在头部投射区的穴位 ,治疗最长 5 2d ,最短 2 7d、平均 2 8 5d。治疗前后进行临床疗效及MQ ,MMSE ,FAQ总分比较。结果 :两组治疗后记忆、认知功能均有明显改善。哈伯因组总有效率 96 %稍高于低频电组 94 % ,MQ和MMSE治疗前后评分自身对比增值显著 ,FAQ总分下降。经t检验 ,两组间比较差异无显著性意义 (P >0 0 5 )。结论 :低频电穴位刺激治疗可产生低频电和穴位的协同综合作用 ,与哈伯因一样均可改善颅脑外伤患者记忆、认知功能障碍。