脉冲激光沉积β-FeSi2/Si（111）薄膜的工艺条件

被引：8

作者：

周幼华

陆培祥

龙华

杨光

郑启光

机构：

[1] 华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉光电国家实验室

来源：

中国激光 | 2006年 / 09期

关键词：

薄膜; β-FeSi2; 脉冲激光沉积法; 飞秒激光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

摘要：

用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的-βFeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到-βFeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。基片温度为500℃,采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的-βFeSi2薄膜。衬底温度为550℃时,-βFeSi2出现迷津状薄层。采用飞秒脉冲激光法-βFeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50～100℃;薄膜的晶粒分布均匀连续,没有微米级的微滴;飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上,是一种快速高效的-βFeSi2薄膜沉积技术。

引用

页码：1277 / 1281

页数：5

共 4 条

[1] 飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜 [J].

周幼华 ;

郑启光 ;

杨光 ;

戴能利 ;

陆培祥 .

中国激光, 2006, (06) :832-836

[2]

Formation of β-FeSi 2 thin films using laser ablation[J] . S. Komuro,T. Katsumata,T. Morikawa,H. Kokai,X. Zhao,Y. Aoyagi.Journal of Crystal Growth . 2002

[3] Microstructure of β-FeSi2 thin films prepared by pulsed laser deposition [J].

Yoshitake, T ;

Nagamoto, T ;

Nagayama, K .

THIN SOLID FILMS, 2001, 381 (02) :236-243

[4]

Nitride film deposition by femtosecond and nanosecond laser ablation in low-pressure nitrogen discharge gas[J] . Z Zhang,P.A VanRompay,J.A Nees,R Clarke,X Pan,P.P Pronko.Applied Surface Science . 2000

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