硅片上顶发射的有机电致发光器件

被引:3
作者
杨惠山
陈淑芬
吴志军
赵毅
侯晶莹
刘式墉
机构
[1] 吉林大学集成光电子学国家重点实验室
[2] 吉林大学集成光电子学国家重点实验室 吉林长春
[3] 泉州师范学院物理系
[4] 福建泉州
[5] 吉林长春
关键词
有机发光器件; 顶发射; 亮度; 电流效率;
D O I
暂无
中图分类号
TN383.1 [];
学科分类号
0803 ;
摘要
为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件。在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属。在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光具有很高的反射率,然而由于其具有相当低的功函数,导致与有机材料间能级的不匹配,从而引起有机发光器件中阳极空穴注入的不理想而影响器件的性能。我们在硅片上制备顶发射的有机发光器件,用薄层QAD(quinacridone)作为发光层,表面修饰的银作为阳极,制备的有机发光器件的亮度在外加电压10V时达到13 700cd/m2,器件的最大电流效率在7V时达到4. 3cd/A,是没有薄层QAD器件的2倍多,是由在器件中存在Alq3 与QAD之间F ster能量转移机制引起的。
引用
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页数:5
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