新型全CMOS片上温度传感器设计

被引：11

作者：

林赛华

杨华中

机构：

[1] 清华大学电子工程系

[2] 清华大学电子工程系北京

来源：

半导体学报 | 2006年 / 03期

关键词：

温度传感器; 阈值电压; 热可测试性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

利用阈值电压随温度的线性变化关系,设计并改进了一种基于弛张振荡器的全CMOS片上数字温度传感器,提出了一种新型的基于施密特触发器的全CMOS片上数字温度传感器,用于集成电路的热测试和温度保护.仿真结果表明,文中实现的两种数字温度传感器精度均在1℃以内,而且基于施密特触发器的温度传感器仅使用了19个晶体管,与多数文献的结果相比,晶体管数目至少节省了26·9%.

引用

页码：551 / 555

页数：5

共 4 条

[1]

Built-in temperature sensors for on-line ther mal monitoring of microelectronic structures. Arabi K,Kaminska B. IEEE International Conference on Computer Design . 1997

[2]

Analysis and design of analog integrated circuits. Gray P R,Hurst P J,Lewis S N,et al. . 2001

[3]

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[4]

A novel built-in CMOS temperature sensor for VLSI circuits. Wang Nailong,Zhang Sheng,Zhou Runde. Chinese Journalof Semiconductors . 2004

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