IGCT器件的计算机模拟

被引：9

作者：

杨大江

姚振华

朱长纯

白继彬

机构：

[1] 西安交通大学,西安交通大学,西安交通大学,西安电力电子技术研究所

来源：

电力电子技术 | 2001年 / 02期

关键词：

工艺; 模拟/集成门极换向晶闸管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN34 [晶闸管（可控硅）];

学科分类号：

070208 [无线电物理];

摘要：

对IGCT器件的主体GCT部分进行了工艺模拟 ,包括一维模拟与二维模拟 ,对工艺流程进行了优化设计 ,最后得到了理想的纵向杂质分布及网格划分 ,并对模拟和设计的有关问题进行了分析总结

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页码：54 / 55+47 +47

页数：3

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共 1 条

[1]

新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术 [J].

杨大江 ;

姚振华 ;

朱长纯 ;

白继彬 ;

张昌利 .

电力电子技术, 1999, (05) :55-57