氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质

被引:7
作者
陈志忠
秦志新
沈波
朱建民
郑有炓
张国义
机构
[1] 北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室,北京大学物理系
[2] 介观物理与人工微结构国家重点实验室,南京大学物理系
[3] 固体微结构国家重点实验室,南京大学物理系
[4] 固体微结构国家重点实验室,北京大学物理系
[5] 介观物理与人工微结构
关键词
氮化镓; 微结构; 光学性质;
D O I
暂无
中图分类号
TN312.8 [];
学科分类号
摘要
用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 ,我们对黄光与微结构的关系作了讨论
引用
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页数:5
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共 1 条
[1]
Growth of wurtzite GaN films on αAl2O3 substrates using light-radiation heating metal-organic chemical vapor deposition.[J].B. Shen;Y.G. Zhou;Z.Z. Chen;P. Chen;R. Zhang;Y. Shi;Y.D. Zheng;W. Tong;W. Park.Applied Physics A Materials Science & Processing.1999, 5