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c轴取向PbTiO薄膜的制备与结构分析
被引：8
作者：
顾豪爽
邝安祥
包定华
卢朝靖
王世敏
不详
机构：
[1] 湖北大学物理系
[2] 湖北大学物理系 武汉
[3] 武汉
来源：
关键词：
浸渍提拉;
PbTio,薄膜;
取向;
SrTio3;
结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 一、引言 钛酸铅PbTiO3,是一种优良的热释电材料.特别是c轴取向的PbTiO3薄膜,c轴就是极化轴,热释电系数r约为2.5×10-8C/cm2·K,热容量小,沿c轴的相对介电常数8r6小（约100）,热释电品质因素较PbTiO3,晶体有明显提高.因此有希望成为高性能指数,高灵敏度的传感器材料.目前,人们利用射频磁控溅射法已生长出口轴取向PbTiO3薄膜.
引用
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页码：1561 / 1562
页数：2
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