一种新型单晶硅SOI高温压力传感器

被引：4

作者：

李育刚

姚素英

张生才

赵毅强

张为

张维新

机构：

[1] 天津大学电子信息工程学院

[2] 天津大学电子信息工程学院天津

[3] 天津

来源：

传感技术学报 | 2002年 / 04期

关键词：

单晶硅SOI结构; 灵敏度; 高温压力传感器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

单晶硅 SOI高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度 ,与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的 SOI结构。本文给出了这种压力传感器的工艺生产过程 ,并相对深入地讨论了各向异性腐蚀硅杯和静电封接这两道工序。介绍了此种压力传感器的工作原理。最后给出了测试结果及结论。

引用

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