热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性

被引：19

作者：

汪六九

朱美芳

刘丰珍

刘金龙

韩一琴

机构：

[1] 中国科学院研究生院物理系

[2] 中国科学院研究生院物理系北京

[3] 中国科学院半导体研究所

[4] 北京

来源：

物理学报 | 2003年 / 11期

关键词：

多晶硅薄膜; 热丝化学气相沉积; 光电特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 - 6 Ω- 1 cm- 1 ,激活能Ea=0 5eV ,光能隙Eopt≤ 1 3eV的多晶硅薄膜 .

引用

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