Cu/SiO2/Si（111）体系中Cu和Si的扩散及界面反应

被引：19

作者：

曹博

包良满

李公平

何山虎

机构：

[1] 兰州大学物理科学与技术学院

来源：

物理学报 | 2006年 / 12期

关键词：

薄膜; 扩散; 界面反应; 硅化物;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

070204 [等离子体物理];

摘要：

室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应.实验结果表明:当退火温度高于450℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著.当退火温度低于450℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500℃时才有铜硅化合物生成.

引用

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