去除铝基板的大功率LED热分析

被引：14

作者：

陈建龙 ^{[1
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文尚胜 ^{[1
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姚日晖 ^{[1
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]}

汪峰 ^{[1
]}

机构：

[1] 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所

[2] 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室

来源：

发光学报 | 2012年 / 33卷 / 12期

关键词：

热阻; 大功率LED; 铝基板; ANSYS有限元分析; 热分析;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

提出一种大功率LED免铝基板封装方式,采用ANSYS有限元热分析软件对传统的铝基板封装和免铝基板封装的LED进行模拟对比分析。模拟结果表明:两种封装结构的LED,其最高温度均出现在LED芯片处;对于单颗功率1 W、3颗功率1 W和单颗功率3 W的器件,由于有效地简化了散热通道、大幅度降低了总热阻,采用免铝基板结构的最高温度分别降低了6.436,9.468,19.309℃。传统的铝基板封装即使选用热导率高达200 W/(m.K)的基板,其散热效果依旧略逊于免铝基板封装结构,且随着LED功率的增大,免铝基板的新型封装结构散热优势更加明显。本文的研究为解决大功率LED的散热问题和光色稳定性问题提供了一种新途径。

引用

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