热压碳化硅陶瓷材料的研究

碳化硅是一种应用在高温工程中有希望的候选材料。目前,许多工作正致力于研究气体透平和其它工程中需用的强度高、抗氧化性优良的SiC烧结体。 本文研究了添加剂（B4C、C）和其它工艺参数对热压SiC的烧结性状和机械性能的影响。同时也研究了不同温度、不同时间、湿氧条件下的氧化增重和强度变化。 研究所得的结果如下: （1）B4C和C是热压α-SiC达到致密必不可少的添加剂。达到最高密度的B4C和C的最低限量分别为0.5wt％。 （2）热压SiC的室温抗弯强度约为500MN/m2,且从室温到1400℃高温强度都几乎不变,高温时略有升高。另外,强度值似乎与碳的添加量（直到3wt％）无关。 （3）添加1wt％B4C和3wt％C的SB1C3组成（热压条件是2050℃、保温45min、压力40MN/m2）,其性能是:密度3.17g/cm3,室温强度480MN/m2、热膨胀系数4.6×10-6℃-1,洛氏硬度HRA93.5。 （4）直到1280℃,掺B4C和C的SB1C3组成的抗氧化性是非常优良的,氧化速率与时间呈抛物线关系,氧化后的室温强度也是基本不变的。