吸收能力、FDI技术溢出门限效应与内资企业生产率增长——基于我国高技术产业的实证分析

被引：5

作者：

陈建丽 ^{[1
,2
]}

孟令杰 ^{[2
]}

王琴 ^{[2
,3
]}

机构：

[1] 南京工业大学

[2] 南京理工大学

[3] 南京邮电大学

来源：

工业技术经济 | 2015年 / 34卷 / 10期

关键词：

FDI; 技术溢出; 面板门限回归; 吸收能力; 高技术企业; 自主创新;

D O I：

暂无

中图分类号：

F276.44 [高新技术企业]; F832.6 [汇兑、对外金融关系];

学科分类号：

1202 ; 120202 ; 1201 ; 020204 ;

摘要：

本文以中国高技术产业13个细分行业1997～2011年面板数据为研究样本,利用面板门限回归模型对FDI研发活动对内资企业生产率增长的影响,以及内资企业技术吸收能力在FDI技术溢出过程中的门槛特征进行分析。研究结果显示:FDI研发活动对内资企业存在正向技术溢出效应;内资企业研发资金强度和研发人员强度对FDI技术溢出有非线性影响,并存在显著的单门限效应,当超过各自的门限值时,FDI的技术溢出效应均有显著提高。另外,内资企业研发投入、对外开放程度都是生产率增长的重要影响因素,但企业规模对生产率增长没有显著影响。

引用

页码：121 / 128

页数：8

共 24 条

[1] FDI技术溢出的区域差异及吸收门槛效应研究——基于bootstrap的内生门槛效应测算及回归检验 [J].