OH-存在下四苯基卟啉合钴氧化过程的电化学和光谱电化学

被引：6

作者：

刘殿骏

林祥钦

机构：

[1] 中国科学院长春应用化学研究所电分析化学开放研究实验室

[2] 中国科学院长春应用化学研究所电分析化学开放研究实验室长春

[3] 长春

来源：

化学学报 | 1994年 / 01期

关键词：

氢氧根离子; 四苯基钴叶啉; 电化学; 光谱电化学;

D O I：

暂无

中图分类号：

O621 [有机化学一般性问题];

学科分类号：

070303 ; 081704 ;

摘要：

本文利用薄层伏安和现场光谱电化学方法考察了在EtCl2中OH-存在下四苯基卟啉合钴（TPP）COⅡ的电极氧化反应. 在低浓度OH-存在下,（TPP）COⅡ与OH-生成一配位的配合物（TPP）COⅡ（OH）-,此配合物不可逆地被氧化为（TPP）COⅢ（OH）-,氧化峰电位负移到0.53V,而卟啉环第一步氧化电位也负移到0.88 V.在高浓度OH-存在下,（TPP）COⅡ（OH）-氧化生成（TPP）CaⅢ（OH）22-,氧化电位随OH-度增加向负移.卟啉环第一步和第二步氧化电位分别负移到0.57V和1.07V.同时观察到第二步氧化伴随后行化学反应,产物氧化电位在1.32V.测定了（TPP）COⅡ（OH）-,（TPP）COⅢ（OH）-和（TPP）CoⅢ（OH）22-,（TPP）+CoⅢ（OH）-和（TPP）+CoⅢ（OH）22-各级配位化合物稳定常数.提出一个在OH-滴定过程中（TPP）Co的各步配位反应及电化学反应的机理.

引用

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