基于残差变化率的单相级联H桥整流器IGBT开路故障诊断

被引：57

作者：

谢东 ^{[1
,2
]}

葛兴来 ^{[2
]}

机构：

[1] 磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室(西南交通大学)

[2] 西南交通大学电气工程学院

来源：

电工技术学报 | 2018年 / 33卷 / 16期

关键词：

单相级联H桥整流器; IGBT开路故障; 混合逻辑动态模型; 电流残差变化率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM461 [整流器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

为实现单相级联H桥整流器(SPCHBR)的IGBT开路故障实时诊断,提出一种基于残差变化率的IGBT开路故障诊断方法。首先建立SPCHBR的混合逻辑动态模型(MLD),生成网侧电流残差。然后从理论和仿真分析IGBT故障时的残差特征,结合电流残差变化率,定义不同开关信号隔离下的归一化诊断变量。通过设定阈值可以实现不同模块单个或双IGBT开路故障的检测和定位。所提方法不需要额外的传感器,诊断信号来自于控制系统,且诊断速度较快,在其他参数不变的前提下不受网压、负载和运行工况变化的影响。最后,通过硬件在环(HIL)测试系统验证了该诊断方法的有效性和可行性。

引用

页码：3822 / 3834

页数：13

共 19 条

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