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带UVLO功能的CMOS零温度系数带隙基准
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张涛
李伊珂
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
电子科技大学VLSI设计中心
李伊珂
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
廖永波
机构
:
[1]
电子科技大学VLSI设计中心
来源
:
电子科技大学学报
|
2008年
/ S1期
关键词
:
带隙基准;
CMOS工艺;
温度系数;
欠压闭锁;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN432 [场效应型];
学科分类号
:
140101
[集成纳电子科学]
;
摘要
:
采用CMOS工艺设计了一种零温度系数的带隙基准与零温度系数欠压闭锁(UVLO)的复用电路。由于这种复用,使其与传统的采用BiCMOS或CMOS工艺设计的电路相比,工艺成本低,易于实现。电路由通过改进的带隙结构产生零温度系数的基准电压,并同时检测输入电压,产生对温度和工艺不敏感的输入电压检测信号跳变阈值,实现欠压闭锁。同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱抗干扰能力。
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页码:118 / 121
页数:4
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共 2 条
[1]
一种新型的高性能CMOS电流比较器电路
[J].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈卢
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
石秉学
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
卢纯
.
半导体学报,
2001,
(03)
:362
-365
[2]
模拟CMOS集成电路设计[M] (美)毕查德·拉扎维(BehzadRazavi)著;陈贵灿等译; 西安交通大学出版社 2003,
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[1]
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