带UVLO功能的CMOS零温度系数带隙基准

被引:2
作者
张涛
李伊珂
廖永波
机构
[1] 电子科技大学VLSI设计中心
关键词
带隙基准; CMOS工艺; 温度系数; 欠压闭锁;
D O I
暂无
中图分类号
TN432 [场效应型];
学科分类号
140101 [集成纳电子科学];
摘要
采用CMOS工艺设计了一种零温度系数的带隙基准与零温度系数欠压闭锁(UVLO)的复用电路。由于这种复用,使其与传统的采用BiCMOS或CMOS工艺设计的电路相比,工艺成本低,易于实现。电路由通过改进的带隙结构产生零温度系数的基准电压,并同时检测输入电压,产生对温度和工艺不敏感的输入电压检测信号跳变阈值,实现欠压闭锁。同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱抗干扰能力。
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共 2 条
[1]
一种新型的高性能CMOS电流比较器电路 [J].
陈卢 ;
石秉学 ;
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半导体学报, 2001, (03) :362-365
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模拟CMOS集成电路设计[M] (美)毕查德·拉扎维(BehzadRazavi)著;陈贵灿等译; 西安交通大学出版社 2003,