垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析

被引：3

作者：

张存善

张延生

段晓峰

赵红东

刘文楷

机构：

[1] 河北工业大学电气信息学院微电子研究所

[2] 中国科学院半导体研究所

来源：

光电子·激光 | 2002年 / 01期

关键词：

垂直腔面发射激光器(VCSEL); 分布布喇格反射(DBR)结构; F-P腔;

D O I：

10.16136/j.joel.2002.01.010

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

摘要：

采用等效法布里 -珀罗 (F- P)腔方法对垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的上、下两层分布布喇格反射 (DBR)结构的特性进行了研究 ,计算并讨论了上、下两层 DBR结构在不同对称模型、不同周期数时对微腔结构的反射率的影响。得出反射面 DBR结构的周期数为 30左右 ,出光面 DBR结构的周期数 2 0左右 ,易实现激光输出 ,与实际设计基本一致

引用

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共 4 条

[1] 量子阱DBR微腔激光器中自发发射的控制 [J].