50nm分辨力极端紫外光刻物镜光学性能研究

被引：14

作者：

李艳秋

机构：

[1] 中国科学院电工研究所北京

来源：

光学学报 | 2004年 / 07期

关键词：

应用光学; 光学设计; 极端紫外光刻; 下一代光刻;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

极端紫外光刻 (EUVL)作为实现 10 0～ 32nm特征尺寸微细加工的优选技术 ,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键。利用光学设计软件CODEV对 6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析 ,其分辨力可以实现 5 0nm ,曝光面积为 2 6mm× 1mm。结果表明 ,光学性能对曝光场点的依赖关系。在全曝光场中进行了光学性能分析 ,其最大畸变为 3.77nm ,最大波面差为 0 .0 31λ(均方根值 ) ,该缩小投影物镜完全可以满足下一代极端紫外光刻机的性能要求

引用

页码：865 / 868

页数：4

共 7 条

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