同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究

被引:50
作者
胡宗波
张波
机构
[1] 华南理工大学电力学院
关键词
同步整流; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 双向导电; 功率损耗;
D O I
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2002.03.018
中图分类号
TN86 [电源];
学科分类号
摘要
该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系 ,得到MOSFET同步整流效率曲线。此外 ,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较 ,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式。该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指导意义。
引用
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