准贝氏体界面错配位错的TEM观察

被引：2

作者：

贾虎生

张喜燕

杨延清

康沫狂

机构：

[1] 西北工业大学教研室!西安市

[2] 不详

[3] 西北工业大学

来源：

材料研究学报 | 1997年 / 01期

关键词：

准贝氏体; 界面错配位错; 切变机制;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG113 [金相学（金属的组织与性能）];

学科分类号：

摘要：

运用透射电镜证明含Si钢准上贝氏体和准下贝氏体中铁素体／残余奥氏体的界面错配位锗是混合型位错，使得界面能沿其法线方向作滑移运动，表明贝氏体可以切变形成。

引用

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页数：4

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共 2 条

[1]

High-temperature transmission electron microscopyin situ study of lower bainite carbide precipitation[J] . M. K. Kang,J. L. Sun,Q. M. Yang.Metallurgical Transactions A . 1990 (3)

[2]

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