沉淀-喷雾干燥法制备纳米晶碳化硅粉体

被引：9

作者：

潘顺龙

杨岩峰

张敬杰

宋广智

机构：

[1] 中国科学院理化技术研究所

来源：

无机材料学报 | 2006年 / 06期

关键词：

碳化硅; 水玻璃; 沉淀-喷雾干燥法; 碳热还原;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

以廉价的水玻璃和炭黑为原料,采用沉淀-喷雾干燥法制备反应前驱体,经碳热还原合成碳化硅．由于原料间混合均匀,前驱体在1500℃下加热5h后就能实现完全反应．对产物用XRD、IR、BET及SEM等进行了表征,并对反应过程中温度、时间的影响进行了研究．结果表明,前驱体在1500℃下反应5h制得的产物为平均晶粒尺寸在37nm左右的β-SiC,比表面积为12．4m2/g．碳热还原过程中,适当升高温度、缩短反应时间有利于得到高质量的SiC产物．

引用

页码：1319 / 1324

页数：6

共 5 条

[1] 水玻璃包覆炭黑直接制备超细SiC粉体 [J].