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MQS1型一氧化碳气敏元件
被引:4
作者
:
万吉高
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
昆明贵金属研究所
万吉高
黎鼎鑫
论文数:
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机构:
昆明贵金属研究所
黎鼎鑫
黎淑萍
论文数:
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机构:
昆明贵金属研究所
黎淑萍
谢波
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0
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机构:
昆明贵金属研究所
谢波
机构
:
[1]
昆明贵金属研究所
[2]
云南广播电视大学
来源
:
电子元件与材料
|
1998年
/ 05期
关键词
:
一氧化碳,气敏元件,氧空位,氧化锡,添加剂;
D O I
:
10.14106/j.cnki.1001-2028.1998.05.009
中图分类号
:
TN379 [敏感器件];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
氧空位与材料的气敏特性有着密切的关系,气敏材料的电导率由氧空位的形成和氧化过程共同决定,氧空位浓度越大,气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理,以99.99%的锡为原料,掺入合适的添加剂,制成了MQS1型一氧化碳气敏元件。它的灵敏度高、选择性好、响应恢复快、受温度和湿度的影响小。
引用
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页码:23 / 25
页数:3
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