未找到相关数据
IGBT过流保护方法的研究
被引：9
作者：
王正仕
陈辉明
吴益良
向群
机构：
[1] 浙江大学电力电子技术研究所
来源：
关键词：
IGBT；过流；保护；慢降栅压；慢关断;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN34 [晶闸管（可控硅）];
学科分类号：
摘要：
介绍了ＩＧＢＴ过流的特点和过流保护的特殊问题，给出了过流保护的方法和综合保护的方案，并进行了试验，还介绍了过流保护中的抗干扰措施
引用
收藏
页码：44 / 51
页数：8
相关论文