Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响

被引:7
作者
张丛春
周东祥
龚树萍
王礼琼
机构
[1] 华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
关键词
ZnO压敏陶瓷; 微观结构; 晶粒生长; 压敏电压;
D O I
10.14106/j.cnki.1001-2028.2000.06.004
中图分类号
TN304 [材料];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂 ,可以降低压敏电压 ,增大非线性系数。这主要与钴的高价态有关 ,利于压敏电阻的低压化。
引用
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共 2 条
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刘克源 ;
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Microstructure, electrical properties and failure prediction in low clamping voltage zinc oxide varistors .2 Bowen L J,Avella F J. J Appl Phys . 1983