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Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响
被引:7
作者
:
张丛春
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0
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0
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
张丛春
周东祥
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
周东祥
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机构:
龚树萍
王礼琼
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0
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0
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机构:
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
王礼琼
机构
:
[1]
华中科技大学电子科学与技术系!湖北武汉
来源
:
电子元件与材料
|
2000年
/ 06期
关键词
:
ZnO压敏陶瓷;
微观结构;
晶粒生长;
压敏电压;
D O I
:
10.14106/j.cnki.1001-2028.2000.06.004
中图分类号
:
TN304 [材料];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂 ,可以降低压敏电压 ,增大非线性系数。这主要与钴的高价态有关 ,利于压敏电阻的低压化。
引用
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页码:7 / 9+40 +40
页数:3
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王守国
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西北大学电子科学系
王守国
;
刘克源
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西北大学电子科学系
刘克源
;
霍建华
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西北大学电子科学系
霍建华
;
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西北大学电子科学系
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;
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西北大学电子科学系
刘克源
;
霍建华
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西北大学电子科学系
霍建华
;
郭亚平
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郭亚平
.
电子元件与材料,
1999,
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