In掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究

被引：24

作者：

朋兴平

杨映虎

宋长安

王印月

机构：

[1] 兰州大学物理科学与技术学院,兰州大学物理科学与技术学院,兰州大学物理科学与技术学院,兰州大学物理科学与技术学院兰州,兰州,兰州,兰州

来源：

光学学报 | 2004年 / 11期

关键词：

薄膜光学; ZnO薄膜; In掺杂; 光致发光谱; 射频反应溅射;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.21 [];

学科分类号：

摘要：

采用射频反应溅射技术在硅 (10 0 )衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明 ,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征 ,分析了In掺杂对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响。与未掺杂ZnO薄膜相比 ,掺InZnO薄膜具有高度的C轴择优取向 ,同时样品的晶格失配较小 ,与标准ZnO粉末样品之间的晶格失配仅为 0 .16 % ;掺InZnO薄膜表面平滑 ,表面最大不平整度为 7nm。在掺In样品的光致发光谱中观察到了波长位于 4 15nm和 4 33nm处强的蓝紫光双峰 ,对掺In样品的蓝紫双峰的发光机理进行了讨论 ,并推测出该蓝紫双峰来源于In替位杂质和Zn填隙杂质缺陷。

引用

页码：1459 / 1462

页数：4

共 6 条

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[3]

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